В помощь сайту
В мире технологий
04-09-2006 20:00
TDK представила диск Blu-ray ёмкостью 200 Гб
04-09-2006 20:00
Появилась новая информация о будущих процессорах AMD
04-09-2006 20:00
"Вымпелком" пошел на уступки региональным сотовым операторам
31-08-2006 20:00
Fujitsu выпустила винчестеры для ноутбуков ёмкостью в 160 Гб
31-08-2006 20:00
Samsung выпустила MP3-плеер с флэш-памятью на 1 Гб
28-08-2006 20:00
Разрабатывается новая система охлаждения микрочипов
28-08-2006 20:00
В зонах .info и .biz будет действовать "поярусная" система регистрации
27-08-2006 20:00
"Стрателлиты" улучшат качество мобильной связи
27-08-2006 20:00
Выработка стандарта на аккумуляторы может начаться до конца года
27-08-2006 20:00
Исследователи Microsoft создадут "терминатора"
27-08-2006 20:00
ABBYY открыла кафедру в МФТИ
21-08-2006 20:00
Сайты Кевина Митника снова взломали
20-08-2006 20:00
Sony начала продажу двуслойных "болванок" Blu-ray
20-08-2006 20:00
Учёные повысили быстродействие биполярных транзисторов
20-08-2006 20:00
Опасные батареи Sony присутствуют не только в ноутбуках Dell
20-08-2006 20:00
Выход Firefox 2.0 откладывается до октября
20-08-2006 20:00
Количество статей в русской "Википедии" перевалило за 100000
15-08-2006 20:00
Google не желает становиться глаголом
15-08-2006 20:00
AMD выпустила новые процессоры Opteron
15-08-2006 20:00
Hitachi выпустит винчестер ёмкостью 1 Тб ближе к концу года
Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
Реклама
-
Сообщение
20-08-2006 20:00
Автор: nikedeforest
Учёные повысили быстродействие биполярных транзисторов
Британские исследователи из Школы электроники и компьютерных наук при Саутгемптонском университете в Великобритании предложили новую технологию, которая теоретически позволит поднять быстродействие биполярных транзисторов вдвое по сравнению с существующими решениями.


Методика, разработанная под руководством профессора Питера Эшберна, сводится к модификации стандартного процесса изготовления биполярных транзисторов путём добавления примеси фтора. Примесь фтора используется для того, чтобы ограничить диффузию бора в базе транзистора. Это, в свою очередь, приводит к уменьшению толщины базы, что позволяет повысить скорость движения электронов.

По заявлениям исследователей, в ходе экспериментов им удалось добиться частоты в 110 ГГц, что в два раза выше предыдущего рекорда для биполярных транзисторов. Учёные подчёркивают, что при некоторых усовершенствованиях технологии диффузия бора в базе может быть уменьшена ещё на 50 процентов.

Биполярные транзисторы широко используются в электронных схемах мобильных телефонов и оборудования для беспроводных сетей. Практическое применение предложенной методики позволит создавать существенно более быстродействующие устройства при незначительном повышении затрат на производство, отмечает Physorg. Впрочем, о возможных сроках внедрения технологии исследователи пока умалчивают.
Партнеры